CVD是一種氣相物質在高溫下通過低化學反應而生成固體物質并沉積在基板上的成膜方法。具體的說揮發(fā)性的金屬鹵化物和金屬有機化合物等與H2,Ar或N2等遠載氣體混合后,均勻的送到反應室的高溫基板上,通過熱解還原,氧化,水解,歧化,聚合等化學反應。
CVD系統(tǒng)由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設計生產(chǎn)，除了主要應用在碳納米材料制備行業(yè)外，現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學、半導體、光電工程的研發(fā)、涂料等領域 。
CVD系統(tǒng)是利用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發(fā)生化學反應，從而在基體表面上生成不揮發(fā)涂層的一種薄膜材料制備系統(tǒng)。
CVD系統(tǒng)產(chǎn)品的特點：
1.兼容、常壓、微正壓多種主流的生長模式；
2.可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進行石墨烯的生長；
3. 使用計算機控制，可以設置多種生長參數(shù)；
4.可以制備高質量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達數(shù)厘米，研究動力學過程；
5. 沉積效率高；薄膜的成分精確可控，配比范圍大；厚度范圍廣，由幾百埃至數(shù)毫米，可以實現(xiàn)厚膜沉積且能大量生產(chǎn)。
CVD系統(tǒng)的產(chǎn)品用途：
適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控。
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